Samsung rozpoczyna produkcję 4-gigabitowych kości LPDDR3 w 20 nanometrach

Producenci smartfonów mają obecnie ciężki wybór w kwestii kości pamięci – mogą zastosować wolniejsze, ale pojemniejsze kości LPDDR2 albo szybsze, lecz zapewniające mniej przestrzeni na dane kości LPDDR3.

Rynkowym standardem stała się obecnie pojemność 2 GB, dlatego nawet w najdroższych modelach (na przykład w HTC One) można znaleźć kości starszego typu, które są dostępne w wariancie 4 Gb i potrzeba ich tylko cztery, by zapewnić żądaną pojemność. Na szczęście już niedługo problem rozterki zniknie, bo w fabrykach jednej z największych firm na rynku pamięci dla urządzeń przenośnych – Samsunga – rozpoczęto produkcję kości LPDDR3 o pojemności 4 Gb.

Do produkcji nowych układów został wykorzystany proces technologiczny 20 nm, taki sam, w jakim wytwarzano kości LPDDR2. Z tego powodu nie dają one zysku na zajmowanym miejscu i nadal moduł o pojemności 2 GB, złożony z czterech kości, ma wysokość 0,8 mm. Nie wiadomo, jak chipy LPDDR3 wypadają pod względem energooszczędności w stosunku do poprzedników. Samsung chwali się jedynie, że pobierają o 20% mniej prądu niż kości LPDDR3 wykorzystujące proces 30 nm (takie zastosowano m.in. w smartfonie Galaxy S IV). Zysk nad LPDDR2 nie powinien być znaczący, bo specyfikacja kości nowego typu zakłada wykorzystanie takiego samego napięcia – 1,2 V.

Nowa pamięć jest stanie zapewnić przepustowość 2133 Mb/s na styk, ponad dwa razy większą niż kości LPDDR2 i o 30% większą niż LPDDR3 wytwarzane w procesie 30 nm. Warto pamiętać, że w urządzeniach przenośnych z głównej pamięci RAM korzystają nie tylko rdzenie CPU, ale także GPU, przez co przepustowość ma naprawdę duże znaczenie. Połączenie już wykorzystanych układów grafiki z nowymi chipami na pewno spowoduje wzrost ich wydajności. Jak duży? Odpowiedź na to pytanie powinny dać testy któregoś z przyszłych tabletów lub telefonów Samsunga: Galaxy Nexus 11 lub Galaxy Note III. Według plotek ma się w nich znaleźć taki sam SoC jak w Galaxy S IV (Exynos 5 Octa), a późniejszy debiut daje nadzieję na szybszy DRAM wytwarzany w niższym procesie technologicznym.

Źródło: Samsung