Poprzednia technologia produkcji pamięci NAND, podobnie jak innego rodzaju pamięci przez ostatnie 40 lat wykorzystywała płaską strukturę komórek. Wraz z większym zagęszczeniem pojemności upakowanej na kościach, zwiększała się awaryjność, przez interferencje międzykomórkowe.

Samsung ominął ten problem i zapowiedział masową produkcję pamięci w nowej technologii, nazwanej 3D Vertical NAND. Na chwilę obecną oferuje ona gęstość 16 GB w pojedynczej kości. 3D V-NAND wykorzystuje trójwymiarową strukturę komórek pamięci opartą na zmodernizowanej technologii Samsunga Charge Trap Flash. Płaskie komórki są układane pionowo, dzięki czemu problem interferencji został rozwiązany.

Według Samsunga technologia 3D V-NAND jest od 2 do 10 razy bardziej niezawodna, a prędkość zapisu wzrasta dwukrotnie w porównaniu do tradycyjnych pamięci NAND flash.

Pierwszymi urządzeniami wyposażonymi w nowy typ pamięci będą najprawdopobniej dyski SSD oraz urządzenia z wbudowaną pamięcią NAND, czyli np. tablety lub smartfony.